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IGB中频电炉
IGB中频电炉技术势:
●恒功率输出确保电源变压器可利用容量利用100%利用 ●功率因数始终大于0.95,无须配备繁杂的补偿系统 ●与可控硅电炉相比可以节电10%-20% ●无高次谐波干扰,对电网无污染 ●信号采用光纤传输,抗干扰能力强 ●采用数字锁相技术,频率稳定度高 ●多重保护功能(双重死区保护,IGB保护及过流、过压、超温、断水等各项保护) ●工作频率范围宽,广泛用于熔炼、透热、淬火等热处理工艺 ●采用PLC智能控制,运行参数可事先预置 ●可实现编程运行模式,实现全自动运行 ●全封闭内循环水冷系统,确保设备安全。 ●实时多点温度控制及自动巡回检测,消除器件过热隐患。 ●可初现操作容错功能,用户错误操作不会对设备造成损坏 ●采用秀的多频点预置技术具有100%的成功启动率。
IGB中频电炉介绍 (1)IGB中频炉是一种采用串联谐振式的中频感应熔炼炉,它的逆变器件为一种新型IGB模块(绝缘栅双极型晶体管,德国生产),它可用于熔炼普通碳素钢、合金钢、铸钢、有色金属。它具有熔化速度快、节能、高次谐波污染低等点。 (2)IGB中频炉为一种恒功率输出电源,加少量料即可达到满功率输出,并且始终保持不变,所以熔化速度快;因逆变部分采用串联谐振,且逆变电压高,所以IGB中频比普通可控硅中频节能;IGB中频采用调频调功,整流部分采用全桥整流,电感和电容滤波,且一直工作在500V,所以IGB中频产生高次谐波小,对电网产生污染工低。 (3)节能型IGB晶体管中频炉比传统可控硅中频炉可节能15%-25%,节能的主要原因有以下几下方面: a.逆变电压高,电流小,线路损耗小,此部分可节能15%左右,节能型IGB晶体管中频炉逆变电压为2800V,而传统可控硅中频炉逆变电压仅为750V,电流小了近4倍,线路损耗大大降低。 b.功率因数高,功率因数始终大于0.98,无功损耗小,此部分比可控硅中频炉节能3%-5%。由于节能型IGB晶体管中频炉采用了半可控整流方式,整流部分不调可控硅导通角,所以整个工作过程功率因数始终大于0.98,无功率损耗小。 炉品热损失小,由于节能型IGB晶体管中频炉比同等功率可控硅中频炉一炉可快15分钟左右,15分钟的时间内炉口损失的热量可占整个过程的3%,所以此部分比可控硅中频可节能3%左右。 (4)高次谐波干扰:高次谐波主要来自整流部分调压时可控硅产生的毛刺电压,会严重污染电网,导致其他设备无法正常工作,而节能型IGB晶体管中频炉的整流部分采用半可控整流方式,直流电压始终工作在zui高,不调导通角,所以它不会产生高次谐波,不会污染电网、变压器,开关不发热,不会干扰工厂内其他电子设备运行。 (5)恒功率输出:可控硅中频炉采用调压调功,而节能型IGB晶体管中频炉采用调频调功,它不受炉料多少和炉衬厚薄的影响,在整个熔炼过程中保持恒功率输出,尤其是生产不锈钢、铜、铝等不导磁物质时,更显示它的越性,熔化速度快,炉料元素烧损少,降低铸造成本。
IGB中频电炉技术数据
电炉型号 |
进线电压(V) |
进线电流(A) |
额定温度功率(KW) |
额定温度频率(KHz) |
IGPS-250-2.5S |
380 |
400 |
250 |
2.5 |
IGPS-300-2.5S |
380 |
480 |
300 |
2.5 |
IGPS-400-2.5S |
380 |
640 |
400 |
1 |
IGPS-500-1S |
380 |
800 |
500 |
1 |
IGPS-600-1S |
380 |
960 |
600 |
1 |
IGPS-700-1S |
380 |
1120 |
700 |
1 |
IGPS-900-1S |
380 |
1440 |
900 |
1 |
IGPS-1200-1S |
380 |
1920 |
1200 |
1 |
IGPS-1500-1S |
380 |
2400 |
1500 |
1 |
IGPS-2000-1S |
380 |
3200 |
2000 |
1 |
IGBT中频电炉技术参数
炉体容量 |
输入交流电压 |
直流电压 |
功率 |
直流电流 |
感应圈电压 |
0.25 |
380V |
500V |
170KW |
350A |
2800V |
0.5 |
380V |
500V |
170KW |
350A |
2800V |
0.75 |
380V |
500V |
170KW |
350A |
2800V |
1.0 |
380V |
500V |
170KW |
350A |
2800V |
2.0 |
380V |
500V |
170KW |
350A |
2800V |
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IGB中频电炉:253
技术支持:
我厂为某汽车设计制造厂的第四批节能IGB中频电炉成套设备顺利发货。
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