底部进料真空钼丝烧结炉为小型实验用真空气氛烧结炉。底部进料真空钼丝烧结炉采用钼作为加热元件、加热温度可达1600度，真空度可达6.67*10-3pa.炉膛洁净度高度。

设备用途：

底部进料真空钼丝烧结炉可用于LED半导体、太阳能等工业晶体的提纯、制备。

设备特点：

本真空钼丝烧结炉采用一体化设计，立式钟罩式结构、底部装料设计，炉膛材料采用质的氧化铝多晶纤维真空吸附制成，节能50%，炉体采用双层炉壳结构，双层炉壳之间装有风机，可以快速升降温，炉壳表面温度低，整洁大方。

主要技术参数

1、使用温度：1600℃

2、控温区：两区（一区高温区，一区辅助加热区）

3、设计功率：15Kw±10%单相

4、加热材料：钨丝、钨网（辅助加热区）

5、恒温区间：200mm（高温区）

6、炉膛内径：120mm*300

7、测温系统： 热电偶

8、控温精度： ±1℃

9、坩埚升降：位移行程 300mm

慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）精度±0.01mm

快速升降50-200mm/min（伺服控制）

10、坩埚旋转：坩埚转速 1~50RPM

结构组成

1、炉体及炉体升降机构

2、坩埚升降旋转系统

3、变压器及联接电缆

4、 温控系统

结构特点

1、坩埚升降旋转系统：坩埚升降采用伺服控制，位移精度可达0.01毫米，控制精度高，它是由一套线性模组和伺服电机，减速机组成，旋转机构由旋转电机减速机组成，升降和旋转安装在同一平台上，组成一个完整的机构，安装在炉底中心位置，从而带动坩埚杆的升降与旋转，坩埚杆的上部装有一坩埚平台，采用高温陶瓷材料，经久耐用。

2、温控系统：电炉的温度控制采用可控硅功率控制器＋低电压大电流变压器，可控硅功率控制器采用移相触发方式来实现电压的无级调节，从而达到自动控制功率的目的。采用宇电50段温控仪表，控温精度高，可根据需要设定多段升温曲线，从而达到自动控制温度的目的。功能强大，操作方便，具有超温，上线声光警示功能。控制柜面板上设有液晶触模屏，可显示、设定坩埚升降速度，旋转速度、位移等，直观显示系统各部件的工作状态，并可实时显示记录工况炉内的温度。可显示温度、位移曲线，记录保存数据，数据也可以删除、导出。真空炉子的所有动作都有一台PLC来完成，控制自动化程度高。

3、变压器及联接电缆：采用三相干式变压器，联接电缆采用铜排或软电缆降低损耗，环保节能

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