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电炉结构:
化学气相沉积CVD化学气相渗透CVI炉CVD/CVI炉系统完全控制系统控制包括原料气、反应环境、废气收集,安全高效。由管式炉+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ,额定温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等,极限真空可以达到10-3Pa,供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计,混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。
SGM-1200G管式炉采用掺钼合金加热丝为加热元件,采用双层壳体结构和宇电控温仪表,能进行30段程序控温,移相触发、可控硅控制,炉膛采用质氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、节能等点。
软件控制系统:该炉配有通讯接口和软件,可以直接通过电脑控制炉子的各个参数,并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况,炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出,并能把每个时刻的温度数据保存起来,随时可以调出。
电炉用途:
可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜,并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高端装饰等领域。
电炉参数:
1200℃石墨烯管式炉(石墨烯CVD炉)
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