等离子增强CVD系统
- 电炉类型：高温电炉
- 电炉名称：等离子增强CVD系统
- 电炉类型：热震炉
- 电炉系列：西格马SGM
- 电炉规格：
- 电炉温度：
- 咨询热线：400-600-3293
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产品详情
电炉介绍：
等离子增强CVD系统由等离子发生器，三温区管式炉、单温区管式炉、射频电源、真空系统组成。等离子增强CVD系统为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）， 该PECVD石墨烯薄膜制备设备借助13、56Mhz的射频输出等使含有薄膜组成原子的气体电离，在真空炉体内形成等离子体，利用等离子的强化学活性，改善反应条件，利用等离子体的活性来促进反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
等离子增强CVD系统适用范围：
等离子增强CVD系统可以用于：石墨烯制备、硫化物制备、纳米材料制备等多种试验场所。可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高duan装饰等领域。
等离子增强CVD系统技术参数：
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三 温 区 管 式 炉 |
电炉型号 |
SGM-O1200-50IIIT |
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炉管材质 |
高纯石英 |
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炉管直径 |
50mm |
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炉管长度 |
2830mm |
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炉膛长度 |
660mm |
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加热区长 |
200mm+200mm+200mm |
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工作温度 |
0～1100℃ |
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控温精度 |
±1℃ |
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控温模式 |
30段或50段程序控温 |
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显示模式 |
LCD |
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密封方式 |
304不锈钢真空法兰 |
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法兰接口 |
1/4英寸卡套接头，KF16/25/40接头 |
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可抽真空 |
4、4E-3Pa |
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供电电源 |
AC:220V 50/60Hz |
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单 温 区 管 式 炉 |
电炉型号 |
SGM-O1200-50IT |
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炉管材质 |
高纯石英 |
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炉管直径 |
50mm |
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炉管长度 |
2830mm |
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炉膛长度 |
440mm |
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加热区长 |
400mm |
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恒温区长 |
200mm |
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工作温度 |
0～1100℃ |
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|
控温精度 |
±1℃ |
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|
控温模式 |
30段或50段程序控温 |
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|
显示模式 |
LCD |
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|
密封方式 |
304不锈钢真空法兰 |
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|
法兰接口 |
1/4英寸卡套接头，KF16/25/40接头 |
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可抽真空 |
4、4E-3Pa |
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供电电源 |
AC:220V 50/60Hz |
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RF 输 出 系 统 |
功率范围 |
0~500W可调 |
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工作频率 |
13、56MHz+0.005% |
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工作模式 |
连续输出 |
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显示模式 |
LCD |
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匹配阻抗模式 |
能够匹配，起辉均匀布满三温区炉管 |
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功率稳定度 |
≤2W |
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正常工作反射功率 |
≤3W |
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放大反射功率 |
≤70W |
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谐波分量 |
≤-50dBc |
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整机效率 |
≥70% |
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功率因素 |
≥90% |
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供电电压/频率 |
单相交流（187V~153V）频率50/60Hz |
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控制模式 |
内控/PLC 模拟量/RS232/485通讯 |
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电源保护设置 |
DC过流保护，功放过温保护，反射功率保护 |
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冷却方式 |
强制风冷 |
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起辉长度 |
在Ar下射频电源与线圈配合起辉辉光能布满三个温区的炉体长度 |
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供 气 系 统 |
四路质子流量计 |
质子流量计 |
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流量范围 |
MFC1量程：0~200sccmMFC2量程：0~200sccm MFC3量程：0~500sccmMFC4量程：0~500sccm 分别对应气体H2、CH4、N2、Ar、 |
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测量精度 |
±5、%F.S |
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重复精度 |
±0.2%FS |
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线性精度 |
±1%F.S. |
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响应时间 |
≤4s |
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工作压力 |
-0.15Mpa~0.15Mpa |
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流量控制 |
液晶触摸屏控制，数字显示，每路气体含有针阀单控制 |
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进气接口 |
可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管 |
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出气接口 |
可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管 |
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连接方式 |
双卡套接头 |
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工作温度 |
5~45℃ |
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气体预混 |
配气体预混装置 |
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供电电源 |
AC:220V 50/60Hz |
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排 气 系 统 |
机械泵 |
旋片泵 |
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抽气速率 |
1、L/S |
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排气接口 |
KF16 |
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真空测量 |
电阻规 |
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极限真空 |
1、0E-1Pa |
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供电电源 |
AC:220V 50/60Hz |
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抽气接口 |
KF16 |
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轨道 |
轨道长度 |
3米，能实现三温区炉子一个炉位长度的滑动，实现快速升降温 |
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