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PECVD石墨烯薄膜制备系统
该PECVD借助13、56MHz的射频输出等使含有薄膜组成原子的气体电离,在真空炉体内形成等离子体,利用等离子体的强化学活性,改善反应条件,使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。本设备可以用于:石墨烯制备、硫化物制备、纳米材料制备等多种实验场所。
多温区加热系统 |
||
序号 |
功能名称 |
技术要求 |
01 |
工作温度 |
室温~1200℃,长期工作温度≦1100℃ |
02 |
加热区长度 |
三温区加热,各温区可立控温,恒温区长度为550 |
03 |
控制模式 |
30段智能PID 多段程序控温 |
04 |
控温精度 |
±1℃ |
05 |
升温速率 |
0~20℃/min |
06 |
测温元件 |
3支K型热电偶 |
07 |
温控保护 |
具有超温和断偶保护功能 |
08 |
炉管 |
高纯石英管,能耐长期1100℃工作温度 |
09 |
炉管尺寸 |
石英管外径100mm |
10 |
炉膛结构 |
开启式 |
11 |
炉膛材料 |
纤维,保温性能好,反射率高,温场均匀 |
12 |
密封方式 |
真空不锈钢水冷法兰 |
13 |
阀门 |
KF25挡板阀 |
14 |
电源 |
380V/220V 50Hz |
15 |
温度记录 |
可以实现温度曲线记录 |
16 |
炉壳温度 |
≦45℃ |
单温区加热系统 |
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序号 |
功能名称 |
技术要求 |
01 |
工作温度 |
室温~1200℃,长期工作温度≦1100℃ |
02 |
加热区长度 |
单温区加热,恒温区长度为200mm |
03 |
控制模式 |
30段智能PID 多段程序控温 |
04 |
控温精度 |
±1℃ |
05 |
升温速率 |
0~20℃/min |
06 |
测温元件 |
K型热电偶 |
07 |
温控保护 |
具有超温和断偶保护功能 |
08 |
炉管 |
高纯石英管,能耐长期1100℃工作温度 |
09 |
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