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概述
此套系统H-CVD-1200S前端配有可加热到0-1000℃的蒸发器,辅助固体源蒸发,后端为双温区硫化炉,温度控制精度,操作简便。左端配有法兰支撑架可将预热器和硫化炉分开使用。右端可配气氛微调装置,可以准确的反应炉体内部的气体压力,带刻度的调节阀对于做低压CVD非常实用,重复性好;真空机组装有真空粉尘过滤器以保护机械式真空泵不被硫粉尘损坏。整套系统可在1200℃以下的工艺温度稳定气相沉积二硫化钼等二维化合物材料。
设备组成
HTF-1100蒸发器,HTF-1200D双温区管式炉(蒸发器与高温反应区采用一体式)。
主要技术参数
蒸发器 |
型号:HTF-1100 工作温度:室温-1000℃ 额定温度:1050℃ 蕞快升温速率:30℃/min 推荐升温速率:10℃/min 控温方式:智能化30段可编程控制 工作电压:AC220V 额定功率:1000W 控温精度:±1℃ 加热元件:电阻丝 加热区长度(mm):150mm |
双温区硫化炉 |
型号:HTF-1200D 技术参数: 额定功率(KW):3 额定电压(V):AC220v50/60Hz 额定温度(℃):1200(1hour) 持续工作温度(℃):1100 升温速率(℃/min):≤50 炉管尺寸(mm): 高纯石英管Φ50×1500mm 加热区长度(mm):150/300mm 恒温区长度(mm):100/120mm 控温方式:模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能 控温精度(℃):±1 加热元件:电阻丝 |
配件 |
配真空粉尘过滤器,DN25手动蝶阀用于控制炉管内压力,防腐型数显真空计,三路混气系统(可选) |