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西格马低真空CVD系统设备集1200度开启式真空管式炉,多通道气路系统和真空系统组成。
可根据用户需要设计生产(有双温区、三温区、多温区),可预抽真空(有高真空、低真空),通多种气氛(供气系统有质子流量控制器和浮子流量控制器)。真空泵、阀采用设备,性能可靠。控制电路选用PID程控技术,具有控温精度高,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。
CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。可以定做生产。
高真空CVD系统主要由高温炉体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。
1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;
2、生长炉体采用高纯石英管,配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;
3、加热炉体采用陶瓷纤维加热器,均温区200mm、对开式结构;
4、密封法兰均采用不锈钢材质,配水冷套,可连续长时间工作;
5、气路系统采用三路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;
6、真空系统采用分子泵机组;
7、控制系统采用10寸触摸屏加西门子PLC模块;
8、可选配RF射频电源模块;
9、气体种类: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6
10、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制,通过PC实时控制和显示相关的实验参数,自动保存实验参数,也可采用手动控制.
11、系统采用集成化设计,控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部,占地面积小。整体安装四个可移动轮子,方便整体移动。
参数名称 | 单 位 | 型 号 | ||||||||
GCVD3-10-12 | GCVD3-15-12 | GCVD3-200-12 | GCVD3-250-12 | GCVD3-300-12 | ||||||
额定功率 | KW | 9 | 12 | 15 | 21 | 27 | ||||
额定电压 | V | 380 | ||||||||
工作温度 | ℃ | 1100 | ||||||||
冷态真空度 | Pa | 6x10-4pa | ||||||||
加热区长度 | mm | L=900mm | ||||||||
恒温区长度 | mm | L=650mm | ||||||||
石英管尺寸 | 直径 | Φ100 | Φ150 | Φ200 | Φ250 | 300 | ||||
长度 | L=2000(可根据实际需要非标订做),炉体不移动的为1500mm | |||||||||
沉底材料 | 铜箔、石墨等 | |||||||||
气路系统 | 3路质量流量计(可拓展多路) | |||||||||
炉膛材料 | V | 陶瓷纤维 | ||||||||
加热元件 | HRE | |||||||||
升温速率 | ℃/min | ≤30℃/min | ||||||||
控温精度 | ℃ | &±1℃ | ||||||||
炉体移动 | 移动距离约600mm(如有需要、需要提出) | |||||||||
外形尺寸 | 不配滑轨 | 2000×600×1450 | 2000×650×1500 | 2000×700×1550 | 2000×750×1600 | |||||
配滑轨 | 3000×600×1450 | 3000×650×1500 | 3000×700×1550 | 3000×750×1600 | ||||||
重 量 | 281kg | 320kg | 370kg | 410kg | 460kg | |||||
气路系统 | 采用三路质量流量计、精度控制气体的流量、(可扩展至多路) | |||||||||
生长炉体 | 采用高纯石英管、配石英支架、方便气体更好的流入 | |||||||||
真空系统 | 采用分子泵机组,真空度可达 6x10-4pa | |||||||||
加热炉体 | 采用的陶瓷纤维,提供一个高温环境。炉体配超静音滑轨、可移动炉体 | |||||||||
控制系统 | 采用10寸触摸屏或工控机自动控制,模块采用西门子plc模块,自动手动可随意切换 | |||||||||
RF射频电源 | 选配 | RF射频电源可降低石墨烯的生长温度。射频频率:13、56MHz功率输出范围:5~500W | ||||||||
冷水系统 | 选配 | 采用闭环冷却系统,冷却系统循环压力1、2-1、7(bar),制冷量 4200K/car/hr,出口温度可调(5-35℃);冷凝器为翅片结构,水箱容积40L,制冷剂采用环保型。 | ||||||||
尾气处理系统 | 选配 | 采用燃烧、喷淋水洗的办法,有效去除PH3、GeH4、B2H6 等气体产生的有毒有害气体 |