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真空CVD系统设备:1200度开启式真空管式炉+多通道气路系统

  • 电炉类型:高温电炉
  • 电炉名称:真空CVD系统设备:1200度开启式真空管式炉+多通道气路系统
  • 电炉类型:热震炉
  • 电炉系列:西格马SGM
  • 电炉规格:
  • 电炉温度:
  • 咨询热线:400-600-3293
  • 产品详情

西格马低真空CVD系统设备集1200度开启式真空管式炉,多通道气路系统和真空系统组成。

可根据用户需要设计生产(有双温区、三温区、多温区),可预抽真空(有高真空、低真空),通多种气氛(供气系统有质子流量控制器和浮子流量控制器)。真空泵、阀采用设备,性能可靠。控制电路选用PID程控技术,具有控温精度高,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。

CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。可以定做生产。

CVD系统设备结构特点:

高真空CVD系统主要由高温炉体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。

1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;

2、生长炉体采用高纯石英管,配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;

3、加热炉体采用陶瓷纤维加热器,均温区200mm、对开式结构;

4、密封法兰均采用不锈钢材质,配水冷套,可连续长时间工作;

5、气路系统采用三路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;

6、真空系统采用分子泵机组;

7、控制系统采用10寸触摸屏加西门子PLC模块;

8、可选配RF射频电源模块;

9、气体种类: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6

10、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制,通过PC实时控制和显示相关的实验参数,自动保存实验参数,也可采用手动控制.

11、系统采用集成化设计,控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部,占地面积小。整体安装四个可移动轮子,方便整体移动。

CVD系统设备主要技术参数:

参数名称 单 位 型 号
GCVD3-10-12 GCVD3-15-12 GCVD3-200-12 GCVD3-250-12 GCVD3-300-12
额定功率 KW 9 12 15 21 27
额定电压 V 380
工作温度 1100
冷态真空度 Pa 6x10-4pa
加热区长度 mm L=900mm
恒温区长度 mm L=650mm
石英管尺寸 直径 Φ100 Φ150 Φ200 Φ250 300
长度 L=2000(可根据实际需要非标订做),炉体不移动的为1500mm
沉底材料   铜箔、石墨等
气路系统   3路质量流量计(可拓展多路)
炉膛材料 V 陶瓷纤维
加热元件   HRE
升温速率 ℃/min ≤30℃/min
控温精度 &±1℃
炉体移动   移动距离约600mm(如有需要、需要提出)
外形尺寸 不配滑轨 2000×600×1450 2000×650×1500 2000×700×1550 2000×750×1600  
配滑轨 3000×600×1450 3000×650×1500 3000×700×1550 3000×750×1600  
重  量   281kg 320kg 370kg 410kg 460kg
气路系统   采用三路质量流量计、精度控制气体的流量、(可扩展至多路)
生长炉体   采用高纯石英管、配石英支架、方便气体更好的流入
真空系统   采用分子泵机组,真空度可达 6x10-4pa
加热炉体   采用的陶瓷纤维,提供一个高温环境。炉体配超静音滑轨、可移动炉体
控制系统   采用10寸触摸屏或工控机自动控制,模块采用西门子plc模块,自动手动可随意切换
RF射频电源 选配 RF射频电源可降低石墨烯的生长温度。射频频率:13、56MHz功率输出范围:5~500W
冷水系统 选配 采用闭环冷却系统,冷却系统循环压力1、2-1、7(bar),制冷量  4200K/car/hr,出口温度可调(5-35℃);冷凝器为翅片结构,水箱容积40L,制冷剂采用环保型。
尾气处理系统 选配 采用燃烧、喷淋水洗的办法,有效去除PH3、GeH4、B2H6 等气体产生的有毒有害气体

哪个厂家的真空CVD系统设备质量好?真空CVD系统设备生产厂家西格马真空CVD系统设备质量好,售后完善。
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