OTL-PECVD-1200-1400-1200三温区PECVD系统，由OTL1200真空管式炉、石英真空室、射频电源、GX供气系统、抽气系统、真空测量系统组成。

主要特点：

1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低

3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小

4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。

5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。

这款三温区PECVD系统是一款能够快速加热、冷却的PECVD系统，是在三台管式炉安装一对电动滑轨，可用电动滑动系统。加热和冷却速率额定可达100°C/min。为取得蕞快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动炉子到样品位置。为获得蕞快冷却，可在样品加热后移动炉子到另一端。加热和冷却速率在真空或者惰性气体环境下可以达到10°C/s，是低成本快速加热、冷却的双温区PECVD系统。

这款三温区PECVD系统以瑞典Kanthal电阻丝和硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温仪表，移相触发、可控硅控制，炉膛采用质氧化铝多晶纤维材料，炉管两端采用不锈钢法兰密封，不锈钢法兰上安装有气嘴、阀门和压力表，抽真空时真空度能够达到10-3 Pa， 分两个温区，两个温区可以立控制、设置不同的温度，使用方便，操作简单，该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等点，是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、生长石墨烯、生长各种薄膜的高温电炉设备。

（1）、硅碳棒的热端粗度d为14mm、一般厂家采用的12MM、加热端粗、不容易弯曲、棒子的表面负荷低，使用寿命长。

（2）、m冷端长度为210mm， 一般厂家采用180mm, 冷端长炉顶温度低。

（3）、硅碳棒表面氧化非晶膜致密，能够比较好的保护碳棒。

当电路过流或漏电时，空开会自动断开。

该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出

1、真空吸滤成型的质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛。

2、采用技术成型。

3、炉膛里电阻丝的间距和节距全部按蕞的热工技术布置、经过热工软件模拟温场

4、采用4周加热，温场更加均衡

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