铜基底单层石墨烯 Single Layer Graphene on Copper Foil 2020-07-09

石墨烯生长在铜箔的表面。生长的层数为1层。 规格 等级 方阻Ω/♢ 价格￥ 备注 1cm*1cm A 300-600 200 可 提 供 拉 曼 原 始 数 据 A级单层覆盖率大于97% B级单层覆盖率大于90% B 700-1500 100 2cm..

铜基底少层石墨烯Few Layer Graphene on Copper Foil 2020-07-09

石墨烯生长的在铜箔的表面生长的层数为2-10层 等级 方阻Ω/♢ 价格 ￥ 备注 1cm*1cm A 500-1200 150 可 提 供 拉 曼 原 始 数 据 厚度在10层以内 2cm*2cm A 500-1200 450 5cm*5cm A 500-1200 1500 5cm*10cm A 50..

“泡-取”式单层石墨烯 “Dunk-Get”type Single Layer Graphene on Copper F 2020-07-09

产品描述： 泡-取”式单层石墨烯是将铜基底单层石墨烯旋涂上一层保护膜，再经过洁净处理得到的。这种石墨烯非常方便，可以直接放到铜刻蚀液(可以是过硫酸铵溶液，氯化铁溶..

氧化硅基底石墨烯Graphene on SiO2 2020-07-09

石墨烯转移至任意类型氧化硅片上。 产品参数 规格 石墨烯类型及等级 方阻Ω/♢ 价格 ￥ 备注 1cm*1cm 单层A 300-600 300 可 提 供 拉 曼 原 始 数 据..

PET基底石墨烯 Graphene on PET 2020-07-09

石墨烯转移至任意类型PET上。 产品参数 规格 石墨烯类型及等级 方阻Ω/♢ 价格 ￥ 备注 1cm*1cm 单层A 300-600 300 可 提 供 拉 曼 原 始 数 据 逐层..

石英基底石墨烯 Graphene on quartz 2020-07-09

石墨烯转移至任意类型石英片上。 产品参数 规格 石墨烯类型及等级 方阻Ω/♢ 价格 ￥ 备注 1cm*1cm 单层A 300-600 300 可 提 供 拉 曼 原 始 数 据 ..

镍泡沫基底石墨烯 Graphene on Nickel Foam 2020-07-09

石墨烯生长在镍泡沫上。按镍泡沫的结构生长。镍泡沫石墨烯用途广泛，可用于锂电池的电极材料大大提高电池容量，可制作传感器，可用于超级电容等等。 产品参数 规格 等级..

PET 2020-07-09

品名 双面硬化PET 尺寸 A4大小 厚度 250um 特性 PET白膜面硬度为3H， 绿膜面硬度为2H 价格 80元/片..

TF-1200℃-S-D 2020-07-09

产品特点 开启式迷你真空管式炉炉体小巧，升温速度极快，它不仅可以抽真空，也可以通气体保护。其结构使得更换炉管方便，操作简捷。炉管工件横穿于进口电阻丝的炉膛，温场..

TF-1200℃-VT-25 2020-07-09

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1700自动化进料隧道窑MF-1700℃-L 2020-07-09

主要特点 本公司研发生产的MF-1700C-L箱式炉系列用于在1600℃下热处理和还原性烧结等工艺，也可用于产品的炭化试验。该炉采用质U型硅钼棒加热，PID程序控温仪控制，温控仪可设定..

组合式多通道催化剂处理装置 ( TF-1200℃-6D) 2020-07-09

主要特点 此款设备由6台迷你型管式气氛炉组合而成，且相互独立控制，可同时进行平行试验，设备体积小，广泛适用于各大高校研究院使用。 1200℃开启式迷你真空管式炉炉体..

滑轨式CVD石墨烯生长系统（型号：TF-1200℃-SL-CVD） 2020-07-09

设备特点 此款设备是专为生长石墨烯、碳纳米管研制的生长专用炉，也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验，温区可独立程序控制，设备操作时可将实验需要的恒定高温直..

1700度高温CVD系统 (高真空 低真空可选） 型号：TF-1700℃-CVD 2020-07-09

设备特点 此款1700℃高温CVD系统，是由1700度管式炉、三路质量流量计系统以及国产高真空系统(或选配低真空系统)所组成。此设备主要用于:真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加..

1200℃双温区CVD系统（低真空、高真空）型号：TF-1200℃-II-CVD 2020-07-09

设备特点 此套设备是由1200℃双温区开启式管式炉、三路质量流量计及低真空系统组成，根据工艺要求亦可选配高真空系统。设备可以抽真空通气体保护。气动弹簧支撑结构使开启..

迷你型CVD系统（型号：TF-1200℃-S-CVD） 2020-07-09

加热区参数 炉管尺寸：外径Φ25/50*600mm (管径可选) 加热元件:电阻丝（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo） 加热区长度：230mm 恒温区长度: 80mm 工作温度：1100℃ ..

进口高真空CVD系统（TF-1700℃-CVD） 2020-07-09

主要特点 炉体采用硅钼棒加热额定温度可至1650℃，高真空系统采用进口分子泵机组，一键操作，简洁方便，无噪音，同时配高精度的质量流量计系统。通过标准配件连接，全部采..

低真空CVD石墨烯生长系统（型号：TF-1200℃-CVD） 2020-07-09

主要特点 该设备是由1200度开启式管式炉、精密的质量流量控制系和真空系统所组成。广泛应用在半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、新工艺领域。 1.加热系统 额定温度 12..

二维材料制备CVD系统（型号：TF-1200℃-II-SL-CVD） 2020-07-09

设备特点 此款CVD系统前端配有可加热到400℃的预加热器，辅助二维材料蒸发，后端为双温区管式炉，温度控制精确，操作简便。并配质量流量计系统和真空系统，可以准确的反应..

前端预热式多温区CVD/TF-1200℃-400℃-CVD（前端加固态源） 2020-07-09

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